第一次高亮度蓝光LED显示Nichia公司的中村修二，基于氮化铟镓借款在关键的发展在蓝宝石衬底上的 GaN成核和p型掺杂的GaN的示范，这是由发达的赤崎勇和H.天野在名古屋。阿尔贝托巴比在加的夫大学实验室（GB）的调查，在1995年，高亮度发光二极管的效率和可靠性，并展示了一个非常令人印象深刻的的结果，通过使用一个透明的联系所作的 铟锡氧化物（ITO）（的AlGaInP / GaAs ）的LED。与蓝色的蓝色发光二极管和高效率的LED的存在迅速发展的第一个白光LED ，雇用 一个 Y 3 AL 5 O 12：Ce的，或“ YAG激光“，荧光粉涂层混合黄（下变换） 生产出现白色的光 。村被授予2006年千年科技奖，他的发明。

LED技术的发展已引起他们的效率和光输出翻两番发生类似的方式在20世纪60年代以来，大约每36个月，以极快的速度增长，摩尔定律。一般的进步归因于其他半导体技术，以及光学和材料科学的进步并行发展 。这一趋势通常被称为Haitz定律后，博士罗兰Haitz  。

2008年2月，发光效率 300 流明每瓦可见光辐射（而不是每个电气瓦）和温暖的光发射是实现通过使用纳米晶体。

在2009年，生长在硅氮化镓（GaN）发光二极体的过程中已经报道。外延成本可减少高达90％的6英寸硅片，而不是使用两英寸的蓝宝石晶圆。